臺海網(wǎng)1月23日訊 據大田縣融媒體中心報道   近日，江蘇省人民政府網(wǎng)站發(fā)布《省政府關(guān)于2020年度江蘇省科學(xué)技術(shù)獎勵的決定》。決定授予中國工程院院士、中國電子科技集團公司第十四研究所教授賁德和中國科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓2020年度江蘇省科學(xué)技術(shù)突出貢獻獎。

【院士簡(jiǎn)介】

鄭有炓，男，漢族，1935年10月出生于福建省大田縣，1953-1957年就讀南京大學(xué)，57年畢業(yè)于我國首屆五校聯(lián)合半導體專(zhuān)業(yè)，1984年被受?chē)椅蓞⒓邮着忻滥蹜B(tài)物理合作研究計劃（1984-86）。自1957年至今一直在南京大學(xué)從事半導體材料與器件的教學(xué)科研工作，2003年當選中國科學(xué)院院士。研究成果獲2003年國家自然科學(xué)二等獎、2016年度國家技術(shù)發(fā)明二等獎、1999年度國家技術(shù)發(fā)明三等獎等國家和省部級科技獎共10項。

鄭有炓院士在半導體異質(zhì)結構材料與器件研究上，帶領(lǐng)團隊做出了系統性和創(chuàng )造性的突出貢獻：倡導并推動(dòng)我國第三代半導體的研究和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，帶領(lǐng)團隊突破了一系列氮化鎵生長(cháng)關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現我國氮化物半導體生長(cháng)設備零的突破，首次研制出GaN基微波異質(zhì)結構器件材料并與中電55所合作研制出我國首支GaN基微波功率器件，實(shí)現國內第一塊2吋氮化鎵自支撐襯底，發(fā)展了氮化鎵LED新技術(shù)，引領(lǐng)了紫外探測與成像技術(shù)， 推動(dòng)我國第三代半導體研究及產(chǎn)業(yè)躋身于國際前列，為我省固態(tài)照明和第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展作出了重大貢獻；作為鍺硅異質(zhì)結構研究先行者，發(fā)明快速輻射加熱超低壓CVD原子級外延方法，制備出高質(zhì)量鍺硅應變層超晶格量子阱異質(zhì)結構材料，創(chuàng )新研制出第一支高響應度鍺硅紅外探測器和國內第一支鍺硅異質(zhì)結晶體管；作為硅納米結構及器件研究的開(kāi)拓者，發(fā)明精準定位硅納米線(xiàn)制備新方法，研制出超細溝道納米點(diǎn)MOSFET，以科技創(chuàng )新支撐摩爾定律下信息器件的持續發(fā)展。

鄭有炓院士在人才培養與學(xué)科建設上兢兢業(yè)業(yè)，身先示范，立德樹(shù)人，培養造就了一支充滿(mǎn)創(chuàng )新活力的學(xué)術(shù)團隊，包括6位長(cháng)江特聘教授、8位國家杰青、6位國家973計劃（重點(diǎn)研發(fā)專(zhuān)項）首席科學(xué)家，以及2個(gè)國家基金委創(chuàng )新群體和1個(gè)科技部創(chuàng )新團隊，獲江蘇省教育系統先進(jìn)工作者等稱(chēng)號；他不忘初心、堅韌不拔，面向國家重大需求，年過(guò)八旬依然奮戰科教第一線(xiàn)，致力指導第三代半導體的發(fā)展，為我國半導體材料與器件的科研攻關(guān)再闖新路、再求突破、再攀高峰。（來(lái)源：大田縣融媒體中心）