據美國世界新聞網(wǎng)8月27日報道,臺灣“高等檢察署”偵辦臺積電2納米核心關(guān)鍵技術(shù)竊密案,查出臺積電前工程師陳力銘跳槽到日企東京電子公司后,為獲取“蝕刻機臺”量產(chǎn)測試數據,通過(guò)時(shí)任臺積電工程師吳秉駿、戈一平竊取參數配方。檢方27日根據違反“安全法”、營(yíng)業(yè)秘密等罪,起訴以上3人。
據報道,由于陳力銘、吳秉駿、戈一平涉“核心關(guān)鍵技術(shù)營(yíng)業(yè)秘密之域外使用罪”,檢方分別求處7至14年重刑,3人在押,且均認罪,下周將移審至臺灣“智慧財產(chǎn)與商業(yè)法院”。
檢調認定,陳力銘翻拍、復制臺積電核心技術(shù)測試數據、流程圖文件共14張。檢方認定,陳力銘應執行有期徒刑14年,吳秉駿應執行有期徒刑9年,戈一平應處有期徒刑7年。
來(lái)源:參考消息網(wǎng)
